收藏本站
New Product
Si4214DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
2.0
1.6
1.2
0. 8
T C = 25 °C
10
0.4
T C = 125 °C
0
V GS = 3 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.05
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.04
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 00
600
400
0.01
0.00
200
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 8 A
1.7
I D = 7 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0.0
3.2
6.4
9.6
12. 8
16.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64726
S09-1223-Rev. B, 29-Jun-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4226DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4230DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI4310BDY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC
SI4313-B1-FM IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN
SI4320-J1-FT IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4322-A0-FT IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SI4324DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4330-B1-FM IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN
相关代理商/技术参数
SI4220-I1-FT 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4220 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4220-RKSA-EVB 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
SI4220-RRSA-EVB 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
SI4221-A1-FT 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4221 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4222-A0-FT 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4222 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4226DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4226DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4228DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET